Az SK Hynix innovatív megoldásokkal igyekszik lehűteni a forrófejű mobil DRAM chipeit, hogy javítsa azok teljesítményét és megbízhatóságát.
A cég felfedezett egy rendkívül hatékony hőelvezető anyagot, amely kulcsfontosságú megoldást kínál a problémára.
A mobil DRAM-ok piaca rendkívül dinamikus fejlődésnek örvend, amit elsősorban az egyre fejlettebb okostelefonok iránti kereslet táplál. Azonban az utóbbi időszakban egy aggasztó tendencia figyelhető meg: az eszközök jelentős felmelegedése, amely korlátozza a teljesítményt. A problémát leginkább az okozza, hogy a DRAM memória a rendszerchip részeként működik, ami bár helytakarékos megoldás, ugyanakkor a hőelvezetés szempontjából nem ideális, és így a hőtermelés növekedésével jár.
Az SK Hynix most előállt egy megoldással, ugyanis megkezdték a világ első olyan mobil DRAM-jainak szállítását, amelyek High-K EMC-t (High-K Epoxy Molding Compound) használnak. Ezt úgy érték el, hogy alumínium-oxidot adtak az eddig alkalmazott szilícium-dioxid alapú EMC-anyaghoz. Az új technológia 3,5-szeresére növeli a hővezető képességet, miközben 47%-kal javítja a függőleges irányú hőellenállást, vagyis növelheti az adott okostelefon teljesítményét és csökkentheti a fogyasztását.
A vállalat előrejelzése szerint a közeljövőben számos eszközben megjelennek majd ezek a fejlettebb hőelvezetést biztosító mobil DRAM-ok, különösen a prémium szegmensben várható számottevő elterjedésük.
